日本開發高精度製造半導體碳化矽的技術,目標2025年實現量產
界面新聞 / 何渝婷編譯
2021-11-30 08:44

(示意圖 / 取自pixabay)

根據《日經中文網》11月30日消息,日本名古屋大學的宇治原徹教授等人開發出利用人工智慧(AI)高精度製造新一代半導體使用的碳化矽(SiC)結晶的方法。

這種方法能將結晶缺陷數量降至原來百分之一,提高半導體生產的成品率,2021年6月成立的新創企業計劃2022年銷售樣品,2025年實現量產。

據介紹,採用SiC基板的半導體已在美國特斯拉部分主打純電動汽車「Model 3」中負責馬達控制等的逆變器上使用。

豐田也在2020年底推出的燃料電池車「MIRAI」的新款車上,採用電裝生產的SiC。