納微半導體推出全球首款智慧GaNFast氮化鎵功率晶片

（取自Navitas Semiconductor臉書粉專）

氮化鎵（GaN）功率晶片的產業領導者納微半導體（Navitas Semiconductor），宣布推出新一代採用GaNSense技術的智慧GaNFast氮化鎵功率晶片。

GaNSense技術集成了關鍵、即時、智慧的感測和保護電路，進一步提高了納微半導體在功率半導體產業領先的可靠性和穩健性，同時增加了納微氮化鎵功率晶片技術的節能和快充優勢。

氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，氮化鎵器件的開關速度比傳統的矽器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實現高達3倍的功率和3倍的充電速度。

納微半導體的GaNFast™氮化鎵功率晶片，集成了氮化鎵器件和驅動以及保護和控制功能，提供簡單、小型、快速和高效的性能表現。

GaNSense技術集成了對系統參數的即時、準確和快速感應，包括電流和溫度的感知，這項技術實現了正在申請專利的無損耗電流感應能力。與前幾代產品相比，GaNSense技術可額外提高10%的節能效果，並能夠進一步減少外部元件數量，縮小系統的尺寸。

此外，如果氮化鎵功率晶片辨識到有潛在的系統危險，該晶片將迅速過渡到逐個週期的關斷狀態，以保護器件和周圍系統。GaNSense技術還集成了智慧待機降低功耗功能，在氮化鎵功率晶片處於空閒模式時，自動降低待機功耗，有助於進一步降低功耗，這對越來越多積極追求環保的客戶來說尤為重要。

憑藉業界最嚴格的電流測量精度和GaNFast響應時間，GaNSense技術縮短50%的危險時間，危險的過電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率晶片單片集成提供了可靠的、無故障的操作，沒有「振鈴」，從而提高了系統可靠性。

納微半導體聯合創辦人兼營運長/技術長Dan Kinzer表示：「從檢測到保護只需30奈秒，GaNSense技術比分立式的氮化鎵功率晶片的實現方案快600%。

納微半導體下一代採用GaNSense技術的GaNFast氮化鎵功率晶片產品，對潛在的系統故障模式提供了高度準確和有效的防護，再加上對高達800V的瞬態電壓的免疫力以及嚴格的柵極波形控制和電壓調節，這些功能只有通過我們專有的工藝設計套件才能實現，重新定義了功率半導體中可靠性、堅固性和性能的新標準。」

採用GaNSense技術的新一代納微GaNFast氮化鎵功率晶片有十個型號，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅動、控制和保護的核心技術，所有產品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護。

新的GaNFast功率晶片的RDS(ON)範圍為120至450毫歐，採用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護電路和無損電流感應。

作為納微第三代氮化鎵功率晶片，針對現代電源轉換拓撲結構進行了優化，包括高頻準諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動和消費市場內流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術方法。

目標市場包括智慧型手機和筆記型電腦的快充充電器，估計每年有20億美元的氮化鎵市場機會，以及每年20億美元的消費市場機會，包括一體機、電視、家庭網路和自動化設備。GaNSense技術，已被用於部分一線消費電子品牌的氮化鎵充電器上。

到目前為止，已經有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率晶片出貨，在現場測試實現了超過1160億個設備小時，並且沒有任何關於GaN現場故障的報告。

與傳統的矽功率晶片相比，每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率晶片可以減少碳足跡4～10倍，可節省4千克的二氧化碳排放。