近來記憶體DRAM產業有幾個重要動態，包括DDR 4因為供應缺口，導致價格暴漲，讓南亞科等公司下半年獲利可望提升。不過，這個價格變化，雖然對台灣公司有利，但關鍵卻是與全球三大DRAM廠SK海力士、三星、美光的投資布局有很大關連，另外也與中國長鑫存儲的最新動態有關，值得做進一步分析。

首先，若用「AI改變DRAM全球版圖」的說法，來形容近幾年DRAM產業的演變，其實是相當精確的。

AI興起如何改變DRAM市占版圖？其中，最關鍵的數字是，由於AI伺服器近三年快速成長，其中要用到大量且單價高的H B M，因此，根據Trendforce的統計，今年HBM的產值，有機會達到整體DRAM市場的26.2%，相較去年的14.6%及前年的3.9%，是很明顯的成長。（見圖一，統一投顧提供）

也因為HBM的快速成長，如今已成影響三大DRAM廠市占的關鍵要素。而且，由於三大廠的DRAM布局各有先後，也讓DRAM產業出現多年來一個很罕見的現象，SK海力士出現超越三星的情況。

根據統計，SK海力士在HBM3E市占領先的助攻下，今年第一季市占率達36%，正式登上DRAM產業龍頭寶座，超越市佔率從39.3%掉到33.7%的三星，至於第三名的美光，因為成為輝達在HBM的第二供應商，市占也有斬獲，從22.4%增至24.3%。（見圖二，統一投顧提供）

至於DDR4的價格大漲，這也和三大廠在HBM及傳統DRAM的投資消長有密切相關。因此，要看DDR4為何漲價，應該先從DRAM產業近幾年的投資金額談起。

從最近三年DRAM產業的資本支出數字來看， 2025年DRAM資本支出大增54 %，是連續第二年大增，2024年則比前一年增加48.8%，至於2023年較前一年減少33.5%。

不過，資本支出不一定代表產能大幅增加，事實上，因為HBM製程技術較高，而且晶片大、後段封裝複雜，因此若從產能提升角度來看，整體的DRAM月產能增加幅度不大， 2025年雖然資本支出大增54%，但月產能相較2024年只增加9%。（見圖三，統一投顧提供）

而且，三大DRAM廠的資本支出，主要都投資集中在HBM，包括製程升級至1β（約12奈米)及1Y（約10到11奈米)，以及H B M後段T S V（矽穿孔）封裝產能，以因應AI龐大需求。

因此，從製程技術角度來看，1β產能快速擴張，這個技術主要用在今年需求快速擴張的HBM3E，至於1Y也正積極布局，要使用在明年需求量會大量增加的HBM4。

至於舊一點的製程如1α(13至14奈米)，這個製程主要用來生產DDR5，由於三大廠主要投資HBM，排擠到其他產品的產能，其中，1z（14至16奈米）的產能比重快速下降，這個製程主要用在DDR4。（見圖四，統一投顧提供）

DDR５目前的主要用途，在於一般伺服器、PC或筆電，至於DDR4則用在更低階的消費性產品上，由於目前是AI伺服器應用獨強，但一般伺服器、PC、筆電及消費性產品需求都很弱，因此三大廠並未增加產能投資。

而且，因為三大廠在DDR4的產能投資下降最多，導致供應缺口出現，至於DDR5的產能沒有降低那麼多，因此也出現很奇特的現象，就是兩者的價格出現倒掛現象。

所謂的倒掛現象，是因為DDR5照理說技術與規格都高過DDR4，因此在價格上應該比較高，但因為三大廠優先降低DDR４的產能，導致一時之間DDR４的價格出現暴漲。

從價格走勢來看，DDR4的現貨報價，從年初至今，漲幅已達一到三倍，其中16Gb 1G×16最缺貨，價格大漲到15美元以上，至於D D R 5價格則在５美元左右，兩個價格差異相當大。（見圖五，統一投顧提供）

這種價格倒掛的現象，在2021年到2022年之間也曾發生過，當時是DDR３和DDR４，也有發生過這種價格倒掛的情況，主要原因也是當大廠減少DDR３的產能，結束它的生命週期（EOL）時 ，由於D D R３產能供貨突然縮減，導致一時之間價格大幅提高。

不過，DDR３跟DDR４，過去的轉換時間大概是七年，其中有兩年時間是價格倒掛，當時倒掛弧度最大是30 %，但這一次DDR4跟DDR5的價格倒掛，則達到三倍的價格，主因是A I來的又急又猛，三大廠SK海力士、三星、美光快速將產能挪去投資HBＭ，DDR４的產能急劇萎縮，才會導致價格大幅上漲。

對大廠來說，這種淘汰低階並轉換至高階製程技術的過程，是產業進步必經的過程，但在這種青黃不接的轉換過程中，對目前製程技術較弱後的台灣廠商來說，當DDR４的價格比DDR５還要好時，南亞科、華邦電等公司，當然是拼命生產DDR4，因為還有明顯獲利空間。

根據TrendForce的統計，今年六月的DDR４現貨價大幅高於合約價約95％,因此Trendforce將第三季的消費型DDR或合約價，漲幅由原本的40到45％，上修至85至90％，追上合約價。

不過，Trendforce也預估，這種產能調整的過渡期，讓DDR４報價高於DDR５的情況，今年下半年可能還會持續，但到明年第二季開始就會大幅下滑。

甚至， DDR５的現貨價，在2026年上半年，還有下跌的風險， DDR５主要用於一般伺服器PC或筆電，需求動能不佳，加上DDR 5至今漲價20 ％，恐進一步壓抑需求。（見圖六、圖七，統一投顧提供）

此外，後續最重要的觀察點，是三星在HＢM３E的驗證狀況。若還是不順利，三星可能將產能投入DDR５的生產，若是如此，也會讓DDR５的現貨價，有明顯下滑的風險。

因此，對於台灣DRAM產業來講，如今與國際三大廠的差距，尤其是在製程技術上，很明顯是落後的。台灣在晶圓代工遙遙領先全球，但記憶體領域則明顯落後先進大廠，也因為這種差距，造成台灣DRAM業者，只能在這種DDR5與DDR4的製程技術交替期中，賺取一些大廠已經放棄、只會短暫出現的超額利潤。

如今，全球DRAM三大廠朝向高附加價值的HBM市場發展， AI伺服器對於GPU算力、CoWoS 的封裝，對於HBM容量的要求都一直放大，因此三大廠已把營運重點都放在HBM的擴充。

至於在HBM3E及下一代HBM4的產業競賽中，目前看起來，SK海力士強於美光，美光又勝過三星，三星已淪後後段班。

SK海力士在HBM3E率先量產並供貨給輝達，至於HBO4已於今年3月送樣，並於2025年做好量產準備。海力士採用MR-MUF技術，比起同業有較高的生產良率。

另外，美光的HBM3E已經量產並供貨給輝達，預計今年下半年會放量，至於HBM4已於2025年的第二季送樣，預計2026年量產。

至於最落後的三星， HBM3E已經量產，但尚未通過輝達的認證。三星採用的是T C-N C F，目前良率問題難以突破。

三星發展HBM3E不順利，帶來的潛在風險是，未來1β是否大量轉作D D R5，造成D D R5供應面的風險，這是值得關注的方向。

此外，還有另一個來自中國大陸的競爭變數。中國大陸的長鑫存儲公司肩負國產化的重任，如今也往高階市場走，不會停留在D D R4，目前製程推進到16奈米，轉向開發D D R 5，並投入HBM的研發。

台灣DRAM業者目前最高製程技術在17.5奈米，不具備發展HBM的優勢，三大廠加上長鑫都停止D DR4的生產，這種短暫的市場區隔策略，或許讓台廠獲得一陣子的喘息，不過，長期來看，台廠的競爭力不足，只能在低階市場生存，相當可惜。

因此，總結來看，隨著D D R5滲透率提高，DDR4的供給和產值也將同步下滑，2026年將成為穩定的利基市場，價格也趨於穩定。

南亞科(2408)目前有一半產能在DDR4，應用面以消費類占65%，所以會受惠於目前價格較佳的DDR4，今年第三季有機會提前轉虧為盈，下半年獲利將趨於穩定。

另外，華邦電(2344)目前DDR3占比達50%，DDR2占比20%，至於DDR4占比在10-20%，比重並不高。至於力成(6239)的先進封裝有機會走出一片天，但顯著貢獻要等到2027年。

不過，長期來看，台灣DRAM產業缺乏朝向HBM的發展能量，在成長動能上難以跟上三大廠，投資人在選股投資時也應該小心謹慎。