（取自三星電子臉書粉專）

當地時間 1 月 13 日，據 NewDaily 報導，三星電子將加快第六代 HBM（高頻寬記憶體）「HBM4」的開發，並計劃今年上半年完成 HBM4 開發和通過 PRA 流程。

據瞭解，PRA 流程是三星電子滿足量產標準並進入量產階段的准批程序，也將會是量產的第一步。

報導中指出，三星電子目前計劃將 HBM 的整體規劃提前 6 個月，原計劃上半年開始量產用於向NVIDIA等公司供應的第五代 HBM 產品 HBM3E，並於下半年量產 HBM4，但為了順應市場情況，將計劃提前。

報導分析，作為 AI 半導體市場主導者的NVIDIA加快了其 AI 晶片的開發速度，其下一代 AI 晶片「Rubin」原計劃於明年推出，但目前預計提前 6 個月至今年第三季。

據悉，每個 Rubin 將配備 8 個 HBM4 單元。

報導還指出，NVIDIA HBM 最大供應商 SK 海力士已經加速 HBM4 的開發和量產，而三星迫切需要在 HBM4 領域取得勝利。

本文為愛范兒授權刊登，原文標題為「三星計劃今年 6 月前完成 HBM4 開發」