（圖片來源：三星電子）
6月30日，三星電子宣布已經開始大規模生產3奈米晶片，是全球首家量產3奈米晶片的公司。
三星稱，與前幾代工藝使用FinFET技術不同，三星使用的全環繞柵極（gate-all-around, GAA）電晶體技術，使新開發的第一代3奈米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，並減少16%的面積。
奈米為一米的十億分之一，是處理晶片時常用的電晶體寬度單位。這個數字越小，晶片製程就越先進，也越容易提高性能。三星預計，在下一階段晶片性能會提高，功耗和產品尺寸還將進一步下降。
三星並未公布首發客戶名單，也沒有詳細說明新晶片的產量，但市場傳出三星3奈米製程最初客戶有上海磐矽半導體和高通等公司。
在晶圓代工市場，主要為台積電和三星兩家公司競爭，而台積電仍居於主導地位，佔全球晶圓代工營收的一半以上，也是iPhone、iPad等產品處理器的獨家供貨商。
至於台積電3奈米製程進展，台積電董事長劉德音曾在本月初的股東會上提及，先進製程的進展都按照計劃發展中，預計下半年將量產3奈米晶片。
與三星不同的是，台積電將採用較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工藝，一直到2025年量產2奈米晶片時，才會採用GAA技術。
另有報導稱，蘋果和英特爾正在測試台積電的3奈米製程工藝，這也意味著，三星、台積電將用不同架構設計的3奈米製程進行對決。
目前三星也在開發3奈米乃至2奈米所需的第二代技術，聲稱相關技術能使晶片效能較7奈米時提高35%、面積減少45%，功耗降低五成。
本文為界面新聞授權刊登，原文標題為「三星宣佈量產3納米制程芯片，超車台積電」