（取自Samsung臉書粉專）
根據韓媒《BusinessKorea》報導，三星電子繼今年上半年將全環繞柵極（Gate-All-Around, GAA）電晶體技術，應用於其3奈米工藝後，已計劃在2023年將GAA技術引入第二代3奈米晶片，並在2025年大規模生產基於GAA的2奈米晶片。
三星在晶片製造領域一直在追趕台積電。
台積電透露，將於2022年下半年開始量產其首款3奈米半導體晶片，計劃在2025年開始生產2奈米晶片。
本文為界面新聞授權刊登，原文標題為「三星計劃在2025年開始大規模生產基於GAA 的2納米芯片」