（取自Samsung臉書粉專）
根據《韓聯社》6月22日消息，三星電子預計將在下週宣布大規模生產3奈米晶片，下一代3奈米晶片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術之上。
三星指出，與現有的FinFET工藝相比，該技術將使晶片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。
今年5月美國總統拜登訪韓時參觀了三星的平澤工廠，三星向其展示了該公司的3奈米晶片。
三星與台積電在晶片製造領域保持激烈競爭，全球最大的晶片製造商台積電表示，它將在今年下半年開始大規模生產3奈米晶片。
而此前三星表示，其2奈米工藝節點正處於早期開發階段，計劃在2025年實現量產。
本文為界面新聞授權刊登，原文標題為「韓媒：三星預計將於下周宣佈量產3納米芯片」