（取自Intel臉書粉專）

2024年IEEE國際電子器件會議上，英特爾旗下晶片代工業務部門對外展示了多項技術突破，在新材料方面，公司展示了減材釕互連技術（subtractive Ruthenium），最高可將線間電容降低25%，有助於改善晶片內互連。

封裝工藝上，英特爾代工還公布了一種用於先進封裝的異構集成解決方案，能將吞吐量提升高達100倍，實現超快速的晶片間封裝（chip-to-chip assembly）。

此外，為進一步推動環繞式閘極結構（GAA）微縮，英特爾還推出了矽基RibbionFET CMOS （互補金屬氧化物半導體）技術、用於微縮的2D場效應電晶體（2D FETs）的柵氧化層（gate oxide）模塊等。

本文為界面新聞授權刊登，原文標題為「英特爾代工部門展示互連微縮技術突破性進展」