（取自三星電子臉書粉專）
根據《韓聯社》7月25日消息，三星電子日前在京畿道華城廠區內的極紫外光微影製程（EUV）專用V1生產線，舉行了適用新一代全環繞柵極（GAA）技術的3奈米晶片產品出廠紀念活動。
韓產業通商資源部長官李昌洋、三星電子DS本部長慶桂顯，以及員工和合作商有關人士共100多人出席活動。
三星電子上月底宣布，全球首款基於GAA技術的3奈米工藝半導體產品投入量產，3奈米工藝是半導體製作工程中最為尖端的製程技術。與此前使用多閘極電晶體（FinFET）的晶片相比，新產品採用晶片面積更小、電耗減少、性能提升的GAA技術。
三星電子將首次把3奈米GAA工藝用於高效能運算（HPC），並計劃與主要合作商攜手將其擴至單晶片系統（SoC）等多種產品群。
三星電子計劃繼華城廠區之後，在平澤廠區也投入量產GAA3奈米晶片。
本文為界面新聞授權刊登，原文標題為「三星電子舉辦3納米GAA技術芯片出廠紀念活動」